|
câu hỏi |
câu trả lời |
Obróbkę plastyczną metali na gorąco prowadzi się w temperaturach wyższych od temperatury rekrystalizacji bắt đầu học
|
|
|
|
|
Podstawowy period identyczności to wielkość charakteryzująca dyslokację krawędziową bắt đầu học
|
|
|
|
|
Dyslokacje śrubowe mogą być dodatnie i ujemne bắt đầu học
|
|
|
|
|
Podstawowe sieci krystaliczne metali to: romboedryczna, trygonalna, heksagonalna bắt đầu học
|
|
|
|
|
Gęstość upakowania w sieci A1 wynosi 74% bắt đầu học
|
|
|
|
|
System łatwego poślizgu w kryształach tworzą płaszczyzny i kierunki gęstego upakowania atomam bắt đầu học
|
|
|
|
|
Moduł sprężystości podłużnej wolframu jest około dwukrotnie wyższy od modułu żelaza bắt đầu học
|
|
|
|
|
Materiały ceramiczne cechuje duża plastyczność i ciągliwość bắt đầu học
|
|
|
|
|
Kryształy o wiązaniu jonowym są materiałami wysokotopliwymi bắt đầu học
|
|
|
|
|
Wiązanie metaliczne zaliczamy do wiązań pierwotnych bắt đầu học
|
|
|
|
|
Materiały kruche cechuje wyraźna granica granica plastyczności bắt đầu học
|
|
|
|
|
Luki międzyatomowe dzieli się na jedno i trójskośne bắt đầu học
|
|
|
|
|
Luki to przestrzenie międzyatomowe o wielkościach większych od średnic atomowyc bắt đầu học
|
|
|
|
|
Wydłużenie, przewężenie to wielkości charakteryzujące twardość materiału bắt đầu học
|
|
|
|
|
Statyczną próbą rozciągania można określić granicę plastyczności materiału bắt đầu học
|
|
|
|
|
Obecność dyslokacji ułatwia odkształcenie plastyczne mechanizmem poślizgu bắt đầu học
|
|
|
|
|
Gęstość wypełnienia określa ilość atomów przypadających łącznie na jedną komórkę elementarną bắt đầu học
|
|
|
|
|
Bliźniakowanie polega na nagłym, poślizgowym odkształceniu metalu bắt đầu học
|
|
|
|
|
Wskaźnikami Millera opisuje się położenie płaszczyzn w kryształach bắt đầu học
|
|
|
|
|
Sieć heksagonalna zwarta A3 ma atomy w narożach i w centrum każdej ze ścian sześcianu bắt đầu học
|
|
|
|
|
W komórce A2 występują 2 rodzaje luk: oktaedryczne i tetraedryczne bắt đầu học
|
|
|
|
|
Gęstość dyslokacji wzrasta wraz ze stopniem zgniotu bắt đầu học
|
|
|
|
|
Umocnienie wydzieleniowe polega na blokowaniu ruchu dyslokacji na dyspersyjnych wydzieleniach bắt đầu học
|
|
|
|
|
Defekty powierzchniowe to wady struktury krystalicznej polegające na zaburzeniu linii poślizgu bắt đầu học
|
|
|
|
|
Defekt Schottky’ego polega na utworzeniu się w krysztale dysocjacji mieszanej bắt đầu học
|
|
|
|
|
Liczba wad punktowych jest funkcją temperatury, nasilenie ich rośnie wraz z temperaturą bắt đầu học
|
|
|
|
|
Granice ziaren dzielimy na: koherentne, półkoherentne i niekoherentne bắt đầu học
|
|
|
|
|
W wiązaniu jonowym elektrony tworzą pary należące wspólnie do dwóch atomów bắt đầu học
|
|
|
|
|
Wielkość ziarna po rekrystalizacji zależy od stopnia zgniotu bắt đầu học
|
|
|
|
|
